當前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導體前道工藝設(shè)備 > 2 PVD > NEXDEPAE物理氣相沉積平臺
簡要描述:AE物理氣相沉積平臺Nexdep PVD在經(jīng)濟性和多功能性之間取得了平衡。它可以配備強大的工藝增強功能,而不會占用實驗室的所有空間或預(yù)算。您的研究目標、生產(chǎn)需求和/或應(yīng)用最終目標將告知如何裝備您的 Nexdep PVD 平臺。
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1 產(chǎn)品概述:
物理氣相沉積(PVD)平臺是一種在真空環(huán)境中,通過物理方法將固體或液體材料源表面氣化成氣態(tài)原子、分子或離子,并沉積在基體表面形成具有特定功能的薄膜的設(shè)備。PVD平臺通常包括真空系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、氣體控制系統(tǒng)、沉積室、基體支撐及驅(qū)動系統(tǒng)等部分。AE物理氣相沉積平臺可能集成了這些關(guān)鍵技術(shù)組件,以提供高效、精確的薄膜沉積解決方案。
2 設(shè)備用途:
AE物理氣相沉積平臺的主要用途包括:
表面改性:通過沉積耐磨、耐腐蝕、導電、絕緣、潤滑等特性的薄膜,改善基體材料的表面性能。
功能薄膜制備:制備具有光導、壓電、磁性、超導等功能的薄膜,應(yīng)用于電子、光學、傳感器等領(lǐng)域。
裝飾和保護:在高檔手表、珠寶、建筑材料等表面沉積金屬或合金薄膜,提供美觀和防腐蝕保護。
微納加工:在微電子、半導體、納米技術(shù)等領(lǐng)域,制備高精度、高質(zhì)量的薄膜結(jié)構(gòu)。
3 設(shè)備特點
高精度和均勻性:通過精確控制沉積參數(shù),如溫度、壓力、氣體流量等,實現(xiàn)薄膜的高精度和均勻性沉積。
多功能性:支持多種PVD技術(shù),如真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、真空離子鍍膜等,滿足不同應(yīng)用需求。
環(huán)保和節(jié)能:在真空環(huán)境中進行沉積,減少環(huán)境污染;采用高效能源利用技術(shù),降低能耗。
自動化和智能化:集成計算機控制系統(tǒng),實現(xiàn)自動化操作和智能化監(jiān)控,提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。
Angstrom Engineering 的 Amod PVD 平臺是一款物理氣相沉積系統(tǒng),以下是其一些技術(shù)特點和應(yīng)用:
技術(shù)參數(shù)和特點:
不同型號的 Nexdep PVD 設(shè)備可能在具體技術(shù)指標上存在差異,如果你想了解更詳細的信息,可以參考相關(guān)產(chǎn)品手冊或直接聯(lián)系 Angstrom Engineering 公司。此外,天津大學大型儀器管理平臺和一些采購公告中也有 Nexdep PVD 設(shè)備的具體參數(shù)信息,例如:
1,腔室尺寸為 400mm(長)×400mm(寬)×500mm(高),帶有可拆卸的不銹鋼內(nèi)襯;前門為移門,后門為鉸鏈式結(jié)構(gòu),采用 O 型圈密封;腔室門集成觀察窗并帶有防沉積裝置。
2,真空系統(tǒng)方面,前級泵采用油泵,抽速不低于 9cfm;主泵采用分子泵,抽速不低于 685L/s;配備 Inficon MPG400 真空規(guī),測量范圍從3.75e-9torr 到大氣;在潔凈、干燥環(huán)境下,極限抽真空優(yōu)于 5e-7torr。
3,蒸鍍系統(tǒng)配備 1 套熱阻金屬蒸發(fā)源和 1 個蒸發(fā)源電源控制器,熱阻蒸發(fā)源電源功率可達 2.5kW,采用可控硅電源控制器。
4,膜厚檢測系統(tǒng)配備 1 個膜厚檢測探頭,帶有水冷功能以提高檢測準確性,探頭安裝在剛性支架上防止碰撞影響精度。
5,樣品臺可裝載直徑為 150mm 的樣品,兼容小尺寸樣片,帶旋轉(zhuǎn)功能,轉(zhuǎn)速 10-30rpm 可調(diào);系統(tǒng)配備自動控制模式的蒸發(fā)源擋板和開合式樣品臺擋板。
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