1.產(chǎn)品概述：

NEXUS IBD是由VEECO研發(fā)的第三代NEXUS® 離子束沉積 （IBD），適用于硬偏置、引線、絕緣層和傳感器堆棧沉積。

2.產(chǎn)品原理：

離子束輔助沉積的原理是在離子束的作用下，將氣態(tài)或液態(tài)物質(zhì)引導(dǎo)到材料表面，通過(guò)物理或化學(xué)反應(yīng)，形成固態(tài)薄膜。 離子束輔助沉積具有沉積溫度低、薄膜質(zhì)量高、可控制性好等優(yōu)點(diǎn)，因此在光電、電子、能源等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

3.產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)制造商可以借助 Veeco 的第三代 NEXUS® 離子束沉積 （IBD） 系統(tǒng)大幅提高 80Gb/in2 傳感器的產(chǎn)量，并滿足未來(lái) TFMH 設(shè)備制造的需求。

支持各種設(shè)備，從當(dāng)?shù)?/span> CIP 到高 CPP 設(shè)備

MRAM 應(yīng)用以及 GMR 和 TMR 薄膜磁頭的理想選擇

改進(jìn)了所有準(zhǔn)直沉積應(yīng)用的 CD 控制

通過(guò)沉積羽流的對(duì)稱到達(dá)獲得更銳利的起飛角度

平臺(tái)易于與 PVD、IBE 和其他技術(shù)集成