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當(dāng)前位置:首頁(yè)  >  產(chǎn)品中心  >  半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備  >  2 PVD  >  Super-SPECTROS™ 200有機(jī)薄膜沉積和金屬化系統(tǒng)

有機(jī)薄膜沉積和金屬化系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述:概述
針對(duì)有機(jī)材料沉積進(jìn)行了優(yōu)化
多達(dá) 12 個(gè) LTE 信號(hào)源;1cc、10cc或35cc容量
主體與摻雜劑比 1000:1
多達(dá) 4 個(gè)熱蒸發(fā)源
基板快門
自動(dòng)基板、掩膜存儲(chǔ)和更換
高溫計(jì)端口
手套箱接口設(shè)計(jì),帶滑動(dòng)前門和滑動(dòng)后門
KJLC eKLipse™ 控制軟件
速率控制分辨率 0.05Å/s
基于配方的基于 PC 的系統(tǒng)控制
低溫泵高真空泵
2位閘閥

  • 產(chǎn)品型號(hào):Super-SPECTROS™ 200
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2024-09-06
  • 訪  問(wèn)  量: 150

詳細(xì)介紹

1. 產(chǎn)品概述:

Super-SPECTROS™ 200 是一套先進(jìn)的有機(jī)薄膜沉積和金屬化系統(tǒng),針對(duì)有機(jī)材料沉積進(jìn)行了優(yōu)化。它能夠?qū)崿F(xiàn)精確的薄膜沉積控制,可沉積多種材料,如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、非晶硅等硅基薄膜,以及各種金屬薄膜,在半導(dǎo)體、光電等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用 。

 

2. 設(shè)備應(yīng)用

· 半導(dǎo)體領(lǐng)域:用于半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的薄膜沉積,如制作晶體管的柵極絕緣層、金屬互連層等,對(duì)提高芯片性能和集成度至關(guān)重要。例如在先進(jìn)的邏輯芯片制造中,精確沉積的絕緣薄膜可確保晶體管之間的電隔離,金屬薄膜則用于實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)的電路連接。

· 光電領(lǐng)域:在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)制造中,可沉積有機(jī)發(fā)光材料和電極材料等,對(duì)于實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的發(fā)光顯示效果意義重大。比如在 OLED 屏幕生產(chǎn)中,通過(guò)該系統(tǒng)精確控制有機(jī)薄膜的沉積,能保證發(fā)光層的均勻性和穩(wěn)定性,提升顯示品質(zhì)。

· 科研領(lǐng)域:為高校和科研機(jī)構(gòu)的材料研究、新型器件研發(fā)等提供了強(qiáng)大的實(shí)驗(yàn)手段,助力科研人員探索新的材料體系和器件結(jié)構(gòu),推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新和發(fā)展。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

· 多源配置靈活:多達(dá) 12 個(gè) LTE 信號(hào)源,并且有 1cc、10cc 或 35cc 等不同容量可供選擇,還配備多達(dá) 4 個(gè)熱蒸發(fā)源,可滿足多種材料和復(fù)雜結(jié)構(gòu)的沉積需求,能實(shí)現(xiàn)對(duì)不同材料的精確控制沉積,為制備多功能、高性能的薄膜器件提供了基礎(chǔ) 1。

· 精確的沉積控制:具有自動(dòng)基板、掩膜存儲(chǔ)和更換功能,以及基板快門,可確保在沉積過(guò)程中對(duì)基板的精準(zhǔn)操作和保護(hù),實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量、均勻性良好的薄膜沉積。例如在制備高精度的光學(xué)薄膜時(shí),能保證薄膜厚度和光學(xué)性能的一致性 1。

· 工藝參數(shù)監(jiān)控與調(diào)節(jié):通過(guò)高溫計(jì)端口實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)沉積過(guò)程中的溫度等參數(shù),結(jié)合 KJLCEKLIPSE™控制軟件,實(shí)現(xiàn)基于配方的基于 PC 的系統(tǒng)控制,且速率控制分辨率可達(dá) 0.05 ?/s,能夠精確控制薄膜的生長(zhǎng)速率和厚度等參數(shù),滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)薄膜性能的嚴(yán)格要求 1。

· 高效的真空系統(tǒng):采用低溫泵高真空泵和 2 位閘閥,確保系統(tǒng)具有高真空度環(huán)境,有效減少雜質(zhì)和氣體對(duì)沉積過(guò)程的影響,提高薄膜的質(zhì)量和純度。例如在制備對(duì)純度要求高的半導(dǎo)體薄膜時(shí),高真空環(huán)境可保證薄膜的電學(xué)性能和穩(wěn)定性 1。

· 創(chuàng)新的雙楔工具KJC 雙楔工具可將單個(gè)基材轉(zhuǎn)換為多個(gè)基材,而無(wú)需打破真空或進(jìn)行復(fù)雜的掩膜操作。這種方式減少了昂貴且長(zhǎng)時(shí)間的研究時(shí)間,允許在幾天而不是幾個(gè)月內(nèi)完成大量的基材變化。此外,結(jié)合基板的旋轉(zhuǎn) / 取向操作,可實(shí)現(xiàn)多種材料和厚度的組合沉積,極大地拓展了系統(tǒng)的應(yīng)用靈活性和功能性 1。

 

4. 產(chǎn)品參數(shù)

· 晶圓尺寸:可支持多種規(guī)格晶圓,具體支持情況未詳細(xì)說(shuō)明,但通常能夠滿足常見(jiàn)的半導(dǎo)體晶圓尺寸需求。

· 源的類型和數(shù)量:多達(dá) 12 個(gè) LTE 信號(hào)源,有不同容量選擇;多達(dá) 4 個(gè)熱蒸發(fā)源。

· 沉積速率控制:速率控制分辨率為 0.05 ?/s 。

· 真空系統(tǒng):配備低溫泵高真空泵,確保高真空度環(huán)境;采用 2 位閘閥 。

· 溫度監(jiān)測(cè)與控制:具有高溫計(jì)端口,可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溫度,但具體的溫度控制范圍未給出。

· 軟件控制系統(tǒng):采用 KJLCEKLIPSE™控制軟件,基于配方的基于 PC 的系統(tǒng)控制,方便用戶進(jìn)行參數(shù)設(shè)置和工藝管理。

· 雙楔工具特性:可實(shí)現(xiàn)單個(gè)基材到多個(gè)基材的轉(zhuǎn)換,且能與基板旋轉(zhuǎn) / 取向結(jié)合,實(shí)現(xiàn)多種復(fù)雜的沉積組合,但關(guān)于具體的尺寸、角度等參數(shù)未詳細(xì)說(shuō)明。

· 實(shí)際參數(shù)可能會(huì)因設(shè)備的具體配置和定制需求而有所不同。

 



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