Kurt J. Lesker Company PVD-BATCH DRUM系列由兩種標(biāo)準(zhǔn)尺寸（PVD 200 和 PVD 500）組成，可配置為水平或垂直配置。當(dāng)顆粒物是一個主要問題時，水平配置優(yōu)先。水平和垂直配置均可用于 3D 涂層的雙軸旋轉(zhuǎn)。通過每次運行的沉積面積來衡量的吞吐量范圍從幾百平方英寸到超過 2000 平方英寸，并且還提供更大的定制系統(tǒng)。

泵送選項以及它們?nèi)绾斡绊懩耐掏铝?/h3>

• 為了最大限度地提高吞吐量，應(yīng)考慮右圖所示的抽空時間。

• 根據(jù)右圖，可以總結(jié)出，升級到更大的高真空閥門可能會導(dǎo)致每個班次額外生產(chǎn)兩批晶圓（使用所示示例）。

• 請參閱表格，其中顯示了提供的所有泵送配置以及典型的泵送量和基本壓力。

內(nèi)部安裝陰極

• 內(nèi)部安裝可實現(xiàn)可調(diào)節(jié)的源-基板距離，是均勻性和速率優(yōu)化的理想選擇。

外部安裝陰極

• 外部安裝的陰極便于訪問公用設(shè)施，并能夠硬安裝射頻調(diào)諧器以增強電源集成。此選項具有固定的源-基板投射距離。

鉸鏈?zhǔn)酱趴毓荛T

• 可以輕松訪問濺射源以進行靶材更改、調(diào)整源與襯底的距離以及源維護。

標(biāo)準(zhǔn)和高強度磁鐵陣列

• 標(biāo)準(zhǔn)強度：目標(biāo)利用率高，針對非磁性材料
  （例如金屬和粘結(jié)陶瓷）進行了優(yōu)化

• 高強度：針對高度矯頑力的目標(biāo)材料
  進行了優(yōu)化，例如鎳、鐵、鈷、坡莫合金

直接和間接冷卻設(shè)計

• 直冷：水冷直接位于目標(biāo)的背面。
  當(dāng)需要高吞吐量或濺射導(dǎo)熱性差的材料時
  優(yōu)點：更高的功率密度能力，可提高濺射率！

• 間接冷卻：水冷通過固體膜或背板與目標(biāo)接觸。
  當(dāng)高吞吐量不重要時。
  優(yōu)點：目標(biāo)水和冷卻水之間有堅固的屏障，減少了直接泄漏到腔室的機會。