產(chǎn)品數(shù)據(jù)概覽:

材料：硅

晶體

晶體 1,100 mm

晶體拉動長度： 長達(dá)100 mm (4″)

晶體直徑： 2.5 x 10-5 mbar

極限真空度： 0.5 bar(g)

發(fā)電機(jī)

輸出電壓： 30 kW

頻率： 2.4 MHz

上軸

進(jìn)料速度： 最高30 mm/min

上部旋轉(zhuǎn)： 最高35 rpm

下軸

拉動速度： 最高 30 mm/min

下部旋轉(zhuǎn)： 最高 30 rpm

尺寸規(guī)格

高度 6,280 mm

寬度： 2,750 mm

深度： 3,000 mm

重量（總）： 約 4,900 kg

區(qū)熔（FZ）技術(shù)作為提純方法為生產(chǎn)高電阻率的超純硅單晶提供了技術(shù)可行性，該技術(shù)可應(yīng)用于高性能電子和半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。其另一優(yōu)點(diǎn)是可以從氣相中連續(xù)摻入，這使得在整個(gè)晶體的電阻率沿長度方向保持一致。因此，幾乎可以在整個(gè)晶體上均勻地實(shí)現(xiàn)所需的電性能。由于電荷載流子的高壽命和極低的氧含量（無坩堝工藝），FZ晶體同樣也適用于光伏行業(yè)。

區(qū)熔（FZ）技術(shù)作為提純方法與CZ直拉工藝等競爭方法相比，FZ工藝的優(yōu)勢在于只有緊鄰感應(yīng)線圈的一小部分晶體需要被熔化，無需使用石英坩堝（每爐次耗用一個(gè)），可實(shí)現(xiàn)高拉速，因此降低了耗材成本的同時(shí)也降低了能源成本。此外，無論是從硅還是其他合適的材料中提取的晶體，可以通過多次處理，顯著地提高純度。