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Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設(shè)備，為針對(duì)12英寸IC產(chǎn)業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導(dǎo)線互連工藝所開(kāi)發(fā)的專用產(chǎn)品， 同時(shí)也可應(yīng)用于鋁墊（Al pad）刻蝕。該設(shè)備承襲了 Chimera® A 的先進(jìn)設(shè)計(jì)理念，具有出色的均勻性調(diào)控手段， 可以為客戶提供高性價(jià)比的解決方案。

Herent® Chimera® A 金屬硬掩膜刻蝕設(shè)備，為針對(duì) 12 英寸 IC 產(chǎn)業(yè)的后道銅互連中氮化鈦（TiN）金屬硬掩膜刻蝕（metal hardmask open） 這一重復(fù)道次高的工藝所開(kāi)發(fā)的專用產(chǎn)品，以滿足 12 英寸產(chǎn)線的各種硬質(zhì)掩膜刻蝕需求。此外，Chimera® A 硬掩?？涛g腔可作為 LMEC-300™ 設(shè)備的選配模塊，實(shí)現(xiàn)從金屬硬掩?？涛g到器件功能層刻蝕的一體化工藝。

Lorem® A 系列常規(guī) IBS 設(shè)備，由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響。這種物理方案，幾乎可以用來(lái)刻蝕任何固體材料，包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體等。柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨(dú)立控制，提升了工藝可控性；載片臺(tái)的角度可調(diào)整，實(shí)現(xiàn)離子束傾斜入射，可用于特殊圖案的刻蝕，

Pangea®A系列常規(guī)IBS設(shè)備由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響。這種物理方案，幾乎可以用來(lái)刻蝕任何固體材料，包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體等。柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨(dú)立控制，提升了工藝可控性；載片臺(tái)的角度可調(diào)整，實(shí)現(xiàn)離子束傾斜入射，可用于特殊圖案的刻蝕，也適用于

LMEC-300™ 是魯汶儀器針對(duì)特種金屬膜層刻蝕而推出的 12 英寸集成設(shè)備，應(yīng)用于新興存儲(chǔ)器件的制備。此類器件的核心功能單元含有成分復(fù)雜的金屬疊層，例如磁存儲(chǔ)器的磁隧道節(jié)（MTJ）、相變存儲(chǔ)器中的合金相變層、阻變存儲(chǔ)器中的阻變疊層。其副產(chǎn)物不易揮發(fā)，圖形化挑戰(zhàn)很大。 LMEC-300™ 反應(yīng)離子刻蝕與離子束刻蝕協(xié)同工藝，可規(guī)避 RIE 路徑的側(cè)壁沾污問(wèn)題，也可突破 IBS 路徑的工藝線寬局

滿足半導(dǎo)體制造中濕法刻蝕工藝，單片加工，適用于SiO2，SiN，Polysilicon和各種金屬層的刻蝕，清洗等工藝流程。