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RIE-400iP是用于ø4 “晶圓的負載鎖定型蝕刻系統(tǒng)，等離子體（ICP）刻蝕設備可對各種半導體和絕緣膜進行高精度、高均勻性加工。采用龍卷風線圈的電感耦合等離子體(Inductively Coupled Plasma)作為放電形式，可產(chǎn)生均勻、高密度的等離子體。

RIE-350iPC是一種盒式裝載電感耦合等離子體(ICP)蝕刻設備，可處理多達ø350毫米的載盤，用于多晶圓批量處理。該系統(tǒng)為各種蝕刻應用提供了堅固可靠的硬件和工藝控制，具有較高的生產(chǎn)率，如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、電容器和射頻濾波器。

高密度等離子體刻蝕設備系統(tǒng)采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室，是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，具有優(yōu)良的工藝重復性和穩(wěn)定性。

RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設備，用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是為研究和開發(fā)目的而改裝的。該系統(tǒng)由Robert Bosch GmbH（德國）授權，能夠對MEMS和TSV所需的硅進行高速和高各向異性蝕刻。

Samco 的 RIE-800iPB 是一種電感耦合等離子體刻蝕設備，使用高密度等離子體進行 MEMS 和 TSV 應用所需的深度硅蝕刻。RIE-800iPB是為Bosch工藝設計的用硅蝕刻系統(tǒng)（由Robert Bosch GmbH授權）。該系統(tǒng)的反應室、電、平臺和真空設計克服了在競爭系統(tǒng)中遇到的問題，可實現(xiàn)高速(約50 μm/min)、無傾斜、高剖面蝕刻，具有行業(yè)先的

RIE-800BCT是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產(chǎn)型硅DRIE系統(tǒng)。這種高性能系統(tǒng)能夠進行高縱橫比處理（超過100）和低扇形處理，同時保持高蝕刻率和選擇性。