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GAMA系列6/8英寸全自動槽式清洗機滿足全部濕法工藝需求，覆蓋RCA、PR Strip、Solvent、Wet Etch等應(yīng)用，可用于典型0.35um、0.18um工藝節(jié)點，可支持90nm工藝節(jié)點，可兼容6寸和8寸晶圓。

12英寸立式中高溫氧化爐THEORIS X302H主要用于12英寸1000℃-1200℃高溫和超高溫氧化和退火工藝。該機臺為立式單腔爐管系統(tǒng)，工藝處理過程實現(xiàn)了高度自動化。系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、電源柜等部分組成。THEORIS X302P主要用于12英寸600℃-1000℃氧化及退火工藝。該機臺為立式單腔爐管系統(tǒng)，工藝處理過程實現(xiàn)了高度自動化系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、電源柜等部分組成。

12英寸槽式清洗設(shè)備Pinnacle300平臺適用于集成電路、功率半導體、襯底材料、硅基微顯示領(lǐng)域的清洗工藝。該機臺主要由傳輸模塊、工藝模塊、藥液供給系統(tǒng)、電源柜等組成。傳輸模塊將晶圓傳送到位置，可同時傳送50片，工藝模塊用于清洗和蝕刻，藥液供給模塊用于高精度藥液配比、加熱、供給、濃度監(jiān)測。

Kronos垂直梯度凝固法系統(tǒng)，用以解決基本工藝問題。該系統(tǒng)的高工作壓力意味著，即使其組分具有高蒸氣壓的材料也可以結(jié)晶。該系統(tǒng)可在10-40巴的壓力范圍內(nèi)用于不同化合物半導體的結(jié)晶。這種方法支持晶體的工業(yè)化生產(chǎn)，例如砷化鎵（GaAs）的工業(yè)化生產(chǎn)可以通過在最大10巴壓力的標準版設(shè)備實現(xiàn)，而磷化銦（InP）的生產(chǎn)可以在最大40巴壓力的標準版設(shè)備中實現(xiàn)。

SiCma系統(tǒng)專為通過物理氣相傳輸系統(tǒng)（PVT）的方式生產(chǎn)碳化硅晶體而開發(fā)。在此過程中，粉末狀的原材料在高溫下被加熱和升華，最后沉積在特定準備的基片上。這項工藝將通過使用一個感應(yīng)線圈在千赫茲范圍內(nèi)完成加熱。隨著全球工業(yè)領(lǐng)域環(huán)保意識的提高，PVA TePla也緊跟時代步伐，通過對該感應(yīng)線圈進行優(yōu)化設(shè)計以實現(xiàn)低能源消耗。

SR110區(qū)熔法硅芯爐的工作方式與區(qū)熔系統(tǒng)類似。該系統(tǒng)使用一個在高頻感應(yīng)線圈下直徑為100毫米的多晶硅棒（源棒）。根據(jù)硅棒的長度，在多個拉動工藝中可以產(chǎn)生特定數(shù)量的硅芯；然后這些硅芯被用作西門子下游工藝中的原棒。通過隔離閥將接收爐體與工藝爐體分開，可以將完成的硅芯取出，并立即開始下一個工藝。通過引入擴散到熔體中的工藝氣體可以對細桿進行摻雜處理。