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碳化硅高溫氧化爐

簡(jiǎn)要描述：VERIC A6151A 碳化硅高溫氧化爐，適用于碳化硅高溫激活 & 退火的設(shè)備,最高溫度 2000℃，升溫速率可達(dá) 100℃/min,石墨電阻加熱，工藝腔室潔凈。

  • 產(chǎn)品型號(hào)：VERIC A6151A
  • 廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間：2024-09-05
  • 訪  問  量： 255

詳細(xì)介紹

1. 產(chǎn)品概述

VERIC A6151A 碳化硅高溫退火爐,適用于碳化硅高溫激活 & 退火的設(shè)備。

2. 設(shè)備用途/原理

VERIC A6151A 碳化硅高溫退火爐，適用于碳化硅高溫激活 & 退火的設(shè)備，高溫度 2000℃，升溫速率可達(dá) 100℃/min。石墨電阻加熱，工藝腔室潔凈。自動(dòng)裝片，Cassette to Cassette。SEMI S2/S6 認(rèn)證。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

晶圓尺寸 4/6 英寸兼容，適用材料 碳化硅、氮化鋁，適用工藝 注入后激活、Ar 退火、Ar/H2 退火、溝槽平滑，適用域 科研、化合物半導(dǎo)體。百科：退火爐的原理?主要涉及通過控制加熱和冷卻過程中的溫度和時(shí)間，以改變半導(dǎo)體材料的性質(zhì)或結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的精確控制和優(yōu)化處理。這種設(shè)備通常被稱為RTP（Rapid Thermal Processing）快速退火爐。RTP退火爐的關(guān)鍵特點(diǎn)包括快速升溫、保持溫度、冷卻階段以及氣體控制。

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